台湾TSMC（台湾積体電路製造）は、米国時間の2022年6月16日に開催したプライベートイベント「2022 North American Technology Symposium」において、同社の2nm世代半導体プロセス「N2」などの概要やスケジュールを発表した。N2はこれまでのFinFETではなくGAA（Gate All Around）トランジスタのプロセスであり、N2で ...

「ラピダスもいずれ乗り越えなければならない技術になる」。国策ファウンドリーRapidus（ラピダス、東京・千代田）の関係者がこう見据えるのは、次世代のトランジスタ構造「CFET」である。1nm世代プロセスを担う「GAAの次世代技術」として、エッチング装置や制御技術の発展が進む。

概要 北海道千歳市の半導体工場ラピダスが製造するGAAトランジスタについて語ってみよう。 （個人的まとめのレベルの情報です。） MOSトランジスタとは？ wikipediaから 真ん中がゲート、左右がソースドレイン。 3端子の素子。素人的に言うと、ゲート部分に電圧をかけると左右のソース ...

GAAとは何か？ GAA（Gate-All-Around）とは、日本語で「全周ゲート型トランジスタ」と訳され、次世代の半導体に使われる技術です。 従来のトランジスタよりも微細化が容易で、より高い性能と低消費電力を実現できることが期待されています。 なぜGAAが注目されているのか？

基調講演はベルギーimecで最先端ロジックデバイス向けの洗浄技術を研究している鬼木悠介氏で、「Gate-All-Around(GAA)デバイス集積のための選択 ...

スピンオン パターニング膜に代わるStensar™ CVDで2D EUVロジックスケーリングを拡張; 2つの新しいIMS™システムをはじめ、3D Gate-All-Around（GAA ...

2:imecは縦型GAAナノワイヤFETも同時発表 imecは今回のVLSIシンポジウムで、縦型のゲートオールアラウンド(GAA)ナノワイヤFETも同時に発表した(図2 ...