新興ファウンドリのRapidus（東京都千代田区）は7月18日、北海道千歳市に建設した半導体製造拠点「IIM-1」にて、2nm GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタの動作確認に成功したと発表した。

Rapidus (ラピダス)は7月18日、北海道千歳市に位置する最先端半導体の開発・生産拠点「IIM-1」において、2nmノードのゲートオールアラウンド (GAA)トランジスタの試作を開始し、動作を確認したことを発表した。

最先端半導体の量産を目指すラピダスは18日、北海道千歳市で約200人を招いたカスタマーイベントを開いた。報道陣に回路線幅2ナノ（ナノは10億分の1）メートル半導体の試作品を公開し、小池淳義社長は動作を確認できたことを明らかにした。「大きなマイルストー ...

韓国Samsung Electronics（サムスン電子）が、次世代トランジスタのGAA（Gate All Around）ベースの3nm世代プロセスを使ったロジックICの量産を2022年上期から始める。21年10月7日にオンライン開催したSamsung Foundry Forum 2021で宣言した。台湾TSMC（台湾積体電路製造）や米Intel（インテル）に先んずる。

GAAとは何か？ GAA（Gate-All-Around）とは、日本語で「全周ゲート型トランジスタ」と訳され、次世代の半導体に使われる技術です。 従来のトランジスタよりも微細化が容易で、より高い性能と低消費電力を実現できることが期待されています。 なぜGAAが注目されているのか？

N2はFinFETではなくGAA（Gate All Around）トランジスタのプロセスになるとの噂はかねてあったが、今回正式に発表された。N2での生産は2025年に始める予定。 N2は、その前世代のプロセス「N3」と比較して同一消費電力ならば10～15％動作周波数が向上するという。

また、GAAの出願数シェアはTSMCが31.4％、Samsungが20.6％とこの2社で過半を超しており、IBMの10.2％、GF5.5％、Intel4.7％とその後を米国勢が追撃する構図 ...

先週の 7/17 ASML、7/18 TSM Q2決算から 生成AIトレンドは堅調であることが分かった。 本稿では生成AIに絡み今後の微細化に必要不可欠な GAA（gate-all-around）に関して TSMの進捗状況を絡め さらに関連銘柄において簡易に紹介したいと思う。 あと、余談だが生成AIにおいて重要な位置づけとなる HBM（High ...

gaaチャネルはエピタキシーと選択的材料除去を用いて形成されます。 このプロセスはチャネル幅と均一性を高精度で整えて消費電力と性能の最適 ...

3gaeは、従来のgaaではなく同社が特許を取得したgaaのバリエーション「mbcfet(マルチブリッジチャンネルfet)」を採用しているのが特徴で、同社は ...

GAAトランジスタを積層し並列化してAI処理に必要な積和演算を実行する。 まだ基礎的な設計段階だが、平面型に比べて12分の1から50分の1に製造コストを削減できる可能性がある。