ラピダス（東京都千代田区、小池淳義社長）は、回路線幅２ナノメートル（ナノは１０億分の１）世代の先端 半導体 ...

新興ファウンドリのRapidus（東京都千代田区）は7月18日、北海道千歳市に建設した半導体製造拠点「IIM-1」にて、2nm GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタの動作確認に成功したと発表した。

次世代半導体の量産を目指すラピダスは18日、北海道千歳市で２ナノメートル（ナノは10億分の１）半導体の試作に成功したと発表した。世界的にも注目されるこの技術開発はラピダスにとって大きな一歩だが、2027年の量産に向けては依然として課題も残る。

Rapidus (ラピダス)は7月18日、北海道千歳市に位置する最先端半導体の開発・生産拠点「IIM-1」において、2nmノードのゲートオールアラウンド (GAA)トランジスタの試作を開始し、動作を確認したことを発表した。

7月10日にgaaトランジスタの動作を確認したという。 小池氏は試作チップについて「日本で初めて、2nm GAAトランジスタの動作を確認した。 これは ...

最先端半導体の量産を目指すラピダスは18日、北海道千歳市で約200人を招いたカスタマーイベントを開いた。報道陣に回路線幅2ナノ（ナノは10億分の1）メートル半導体の試作品を公開し、小池淳義社長は動作を確認できたことを明らかにした。「大きなマイルストー ...

韓国Samsung Electronics（サムスン電子）が、次世代トランジスタのGAA（Gate All Around）ベースの3nm世代プロセスを使ったロジックICの量産を2022年上期から始める。21年10月7日にオンライン開催したSamsung Foundry Forum 2021で宣言した。台湾TSMC（台湾積体電路製造）や米Intel（インテル）に先んずる。

N2はFinFETではなくGAA（Gate All Around）トランジスタのプロセスになるとの噂はかねてあったが、今回正式に発表された。N2での生産は2025年に始める予定。 N2は、その前世代のプロセス「N3」と比較して同一消費電力ならば10～15％動作周波数が向上するという。

GAAトランジスタを積層し並列化してAI処理に必要な積和演算を実行する。 まだ基礎的な設計段階だが、平面型に比べて12分の1から50分の1に製造コストを削減できる可能性がある。

また、GAAの出願数シェアはTSMCが31.4％、Samsungが20.6％とこの2社で過半を超しており、IBMの10.2％、GF5.5％、Intel4.7％とその後を米国勢が追撃する構図 ...

概要 北海道千歳市の半導体工場ラピダスが製造するGAAトランジスタについて語ってみよう。 （個人的まとめのレベルの情報です。） MOSトランジスタとは？ wikipediaから 真ん中がゲート、左右がソースドレイン。 3端子の素子。素人的に言うと、ゲート部分に電圧をかけると左右のソース ...